天博真人平台

为推进宽禁带半导体的应用和发展，应广西精密导航技术与应用重点实验室、广西无线宽带重点实验室和信息与通信学院邀请，松山湖材料实验室袁冶研究员和北京万人网东莞光电研究院刘强研究员将来校做关于宽禁带半导体前沿报告，欢迎全校师生踊跃参加。报告具体安排如下：

报告时间：2026年5月15日（星期五）下午15：00-17：00

报告地点：天博真人平台花江校区信息与通信学院402会议室

报告人简介：

袁冶：松山湖材料实验室研究员，国家高层次青年拔尖人才，博士生导师，于德国德累斯顿工业万人网获得凝聚态物理学博士学位，目前从事氮化铝(第四代半导体)单晶复合衬底的制备、物理性质与应用研究，成功实现氮化铝单晶复合衬底的中试线搭建与产业转化，所实现的氮化铝单晶复合衬底技术在世界居于领先位置，并利用氮化铝单晶复合衬底突破深紫外LED外延4英寸与氮化镓HEMT器件8 kV耐压瓶颈；共发表行业知名SCI期刊文章130余篇，授权国家发明专利28项，主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金面上项目等国家、省、市、企业各类项目20余项，获北京市技术发明一等奖、英国伦敦发明展金奖等国内外奖项,目前任第十四届中华全国青年联合会委员、第十二届广东省青年联合会委员等职务。

刘强：北京万人网东莞光电研究院院长助理，研究员，北京万人网博雅博士后，日本名古屋万人网天野浩研究室博士，曾兼职中镓半导体科技有限公司技术顾问和研发处处长，连续十余年从事第三代半导体相关工作，涵盖材料生长设备设计、晶体生长和器件制备。发表SCI期刊文章20余篇，参与国际与国内学术会议并做报告近20次，授权国家发明专利30余项，主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金面上项目等国家、省、市、企业各类项目10余项，主编或参编国家、行业、团体标准20余项。获东莞市特色人才等奖励，现任SEMI化合物标委会委员，全国半导体设备和材料标准化技术委员会半导体材料分委会委员，CSTM中国材料与试验标准化委员会委员等职务。

报告介绍：

袁冶：氮化铝以其所具有的超宽直接带隙(~6.2 eV)与c轴高频压电特性在深紫外发光器件、高功率电力电子器件与高频微机电系统(MEMS)方面具有极大的应用前景，与金刚石、氮化硼等并称为“第四代半导体”。针对目前氮化铝单晶块材衬底制备技术难度高且价格昂贵的瓶颈问题，我们利用物理气相沉积高温热退火的方式成功开发了2~8英寸氮化铝单晶复合衬底，该方法所实现的复合衬底成本低廉、位错低密低(<5×108/cm-2)、表面平整(呈现原子台阶流形貌，RMS≤0.2 nm)、重复性好且良率高，并已成功实现产业转化，所实现的4 inch AlN单晶复合衬底氮化铝区域超过10 μm且表面无裂纹，位错密度居于~106cm-2数量级。此外，我们成功对氮化铝单晶复合衬底中内应力状态实现了自由调控，使其能够在多种重大应用场景实现技术突破：(i)基于4英寸氮化铝单晶复合衬底及其精细化应力调控技术，我们首次实现了4英寸表面无开裂且平整的低成本深紫外LED外延片，并将目前商用化深紫外LED中约3 μm的氮化铝缓冲层首次大幅降至150 nm，极大的降低了生产成本；(ii)依托氮化铝单晶复合衬底首次实现具有超薄结构的HEMT功率器件，耐压能力超过10kV，开启了氮化镓功率电子器件进入kV范围中压应用领域的可能，成为未来氮化镓功率电子器件降本增效最有效的方案之一；(iii)基于高温热退火实现的a面AlN单晶薄膜的表面声波谐振器不仅在2.38GHz频段实现了高达3731品质因子与低至39 dB插损的瑞丽波共振，更在仅使用平面指叉电极的情况下成功激发谐振频率为4.00 GHz的横向体波，体现了氮化铝单晶复合衬底在MEMS领域的应用潜力。

刘强：氮化镓由于其性能优异被广泛应用于光电、功率和射频领域，然而由于高质量氮化镓体单晶制造成本高昂目前仅有少数应用使用氮化镓单晶衬底。目前有多种制造氮化镓体单晶的技术，包括氨热法、钠助熔剂法以及卤化物气相外延法。本报告的内容包括目前产业主流的GaN单晶衬底制备方法，正在研发中的下一代GaN单晶制备方案，以及北京万人网东莞光电研究院在研的GaN单晶生长技术进展。